Leistungshalbleiter

SiC-MOSFETs der Firma ROHM eliminieren den Tail-Strom während des Schaltens, was zu einem schnelleren Betrieb, geingeren Schaltverlusten und erhöhter Stabilität führt. Der geringere Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße führen zu einer verringerten Kapazität und Gate-Ladung. Darüber hinaus weist SiC hervorrangende Materialeigenschaften auf, wie die nur minimale Zunahme des Durchlasswiderstands und ermöglicht eine größere Gehäuseminiaturisierung als Silizium-Baulelemente, bei denen sich der Durchlasswiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann. Die SiC-MOS der 4. Generation von ROHM haben einen industrieweit führenden, niedrigen ON-Widerstand bei gleichzeitig verbesserter Kurzschlussfestigkeit.

Ohne moderne Leistungshalbleiter wäre eine Miniaturisierung elektrischer Geräte nicht denkbar. Hohe Schaltfrequenzen, kompakte Bauweise und nahezu verschleißfreier Betrieb sind die herausragenden Vorteile dieser Bauteile