Wir haben SiC-MOSFETs der Firma ROHM im Programm.
Leistungshalbleiter, sind Halbleiterbauelemente, die man sich als "elektronische Ventile" vorstellen kann. Diese können nahezu verschleißfrei und extrem schnell (im Vergleich zu Relais) sehr hohe Ströme schalten. Dabei sind Spannungen bis ca. 1.700V und Ströme im Bereich 120A möglich. Da der Einschaltwiderstand nicht Null (idealerweise) ist, sondern sich im Bereich 2-3 stelliger Milli Ohm bewegt, sind diese Bausteine verlustbehaftet. Daher ist es ein Bestreben der Hersteller diesen Rds-On so gering wie möglich zu halten. Leistungshalbleiter gibt es in verschiedenen Ausführungen. Gängig sind die Technologien GaN, MOS-FET und SicMOS-FET.
SiC-MOSFETs der Firma ROHM eliminieren den Tail-Strom während des Schaltens, was zu einem schnelleren Betrieb, geingeren Schaltverlusten und erhöhter Stabilität führt. Der geringere Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße führen zu einer verringerten Kapazität und Gate-Ladung. Darüber hinaus weist SiC hervorrangende Materialeigenschaften auf, wie die nur minimale Zunahme des Durchlasswiderstands und ermöglicht eine größere Gehäuseminiaturisierung als Silizium-Baulelemente, bei denen sich der Durchlasswiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann. Die SiC-MOS der 4. Generation von ROHM haben einen industrieweit führenden, niedrigen ON-Widerstand bei gleichzeitig verbesserter Kurzschlussfestigkeit.
Ohne moderne Leistungshalbleiter wäre eine Miniaturisierung elektrischer Geräte nicht denkbar. Hohe Schaltfrequenzen, kompakte Bauweise und nahezu verschleißfreier Betrieb sind die herausragenden Vorteile dieser Bauteile
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